高价收购手机储存芯片、拆机字库回收可上门估价现金回收
来源:    发布时间: 2018-05-31 18:37   42 次浏览   大小:  16px  14px  12px
高价收购手机储存芯片、拆机字库回收可上门估价现金回收

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  9月28日,国家存储器项目(一期)一号生产及动力厂房在武汉东湖高新区成功封顶,比预定时间提前一个月。这标志着该项目建设工程取得了重要阶段性,为确保国家存储器项目(一期)如期完成奠定基础。

  “一号生产动力厂房能提前封顶,需感谢湖北省、武汉市对项目的关心、支持和推动”,紫光集团董事长、长江存储公司董事长赵伟国在封顶仪式上致辞表示,位于武汉的国家存储器是中国第一个大规模生产存储芯片的,在中国科技领域,是在打造存储器的“航空母舰”。

  他透露,明年将进行中小规模的试产和量产,争取在2019年进行大规模的生产,填补中国在存储产业领域的空白。“这不仅关系到信息安全,也关系到产业安全”,赵伟国说,在一些关键的集成电领域,我们必须拥有一定的自主供应能力,否则一旦国际形势产生变化,就会导致信息产业崩塌。他表示,国家存储器建设,对于中国信息、互联网产业乃至整个电子工业发展,不仅解决现实问题,更将对全球产业局势起到一个平衡作用。

  “企业要积极采取各种办法,把研发、生产做好”,赵伟国说,打造国家存储器“只有结果没有过程”,通过努力,中国集成电产业会强大起来,“既然已经选择了,就咬定青山不放松”。

  国家存储器项目以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,由紫光控股、国家集成电产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资,计划5年内总投资240亿美元,约1600亿人民币。

  长江日报记者在现场了解到,国家存储器项目主厂区占地约1717亩,生活配套用地251亩。主厂区主要包括3栋生产厂房、研发办公大楼以及生产配套等设施,项目于2016年12月1日桩基进场施工,2016年12月30日正式开工。此次提前封顶的一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万平方米,预计2018年投入使用。项目(一期)总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

  目前,东湖高新区已为国家存储器项目规划建设1100亩配套产业园区和1500亩国际社区用地,正在加快引进产业链配套企业和国际化人才;并加快建设武汉国际微电子学院,组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心,努力打造世界级的集成电产业创新中心。

  “没有地方的大力支持,这个项目是不可能如此快速地启动和进入的。”28日,站在国家存储器项目(一期)一号生产及动力厂房前,国家存储器项目实施主体公司——长江存储科技有限责任公司总裁、执行长杨士宁接受长江日报记者专访,评价武汉的支持“一流”。

  “存储器就像一个保险箱,而我们现在把自己的钱放在别人的保险箱里”,杨士宁说,存储芯片占整个芯片市场的1/3,另外是计算芯片和通讯、芯片,“我国发展通讯芯片有一定基础,而国内大规模存储芯片的自产率,是零”。

  没有自己生产的存储器芯片,影响的是13亿国人。他举了个例子:“如果手机里的存储芯片全都是进口,如果国际上出现贸易,手机厂商拿不到进口的存储芯片,手机就停产了,所有人都不能换手机了”。

  他介绍,国家存储器瞄准的目标,是实现国家工业粮食自主供应,而且,研发目标直指世界最前沿的技术,“到现在为止,我国生产的很多芯片,离世界前沿差距比较大,差距在2到3代技术左右”。

  长江存储正在研发并按计划量产的三维闪存(3D NAND),如果能实现计划,跟世界前沿的差距一定是在两代之内,会立刻成为全中国工艺、技术水平离世界前沿最近的一个产品,对中国来说是一个划时代的事情,杨士宁说,“我们现在是用3年时间,追赶别人6年走过的”。

  杨士宁表示,在武汉将产生距世界前沿最近的中国自主生产存储器芯片产品,“满产后能供应国内存储芯片需求50%以上,国人将感受自己创造的 大存储 ,手机里可放得下几百首歌、几千张照片”。

  据悉,今年,长江存储已经完成32层堆栈的3D NAND闪存研发,更先进的64层堆栈产品也在同步开发,2019年有望量产,2020年技术达到国际领先的存储芯片供应商水平。

  “这里建造的厂房,可以进入全世界前三的水平”,杨士宁介绍,在武汉建设的国家存储器,要建造全球单体洁净室面积最大的3D NAND Flash新厂。据悉,按照计划,今年第四季度将开始洁净室安装。

  据了解,不论空气条件如何变化,洁净室内均能维持原设定的洁净度、温度及压力等性能,以满足使用需求。集成电由于技术的复杂程度与日俱增,对于空气洁净度的要求也越来越高,核心工艺区需保持1-4级的洁净度。可以说,洁净室直接决定了集成电制造最终产品的成败,如果生产过程中洁净程度达不到要求,产品良品率会受到很大影响。

  “芯片制造的带动效应,是1:10的比例,而作为我国最大的集成电单体投资项目,因此放大效应将更大”,杨士宁说,项目对武汉集成电产业的带动效应也显而易见。

  杨士宁透露,从区域分布来看,武汉是国家集成电产业基金投入最大的中部城市,这是对武汉的极大认可,“未来可以给武汉带来更多就业机会,武汉将很快成为集成电产出最高的城市”。

  国家存储器项目,得到了国家、省、市各级的高度重视。项目所在的武汉东湖高新区,专门成立存储器项目推进工作领导小组,下设运营发展、规划建设两个工作专班,“一把手”负责,分管领导靠前指挥,全职联络员现场办公。

  28日,东湖高新区管委会城建工作协管领导、未来办副主任、国家存储器项目服务专班负责人明铭介绍,最初国家存储器项目所在的这片区域,多家企业、民房需拆迁,2条5公里长、80米宽的输油管和环城高压输气管需改迁,众多池塘需清淤。

  同时,项目投资较大,建设要求标准较高,建设周期紧迫,该项目作为“一号工作”,实行“随叫随到、随报随签”机制,领导每周都调度,工作专班“一日一调度、一日一通报、一日一督办”。

  短短70天时间内,迁移迁改输油输气管线公里,确保国家存储器项目建设未受到影响;

  3个月内,完成用地规划许可、能评、安评、环评、土地招拍挂等建设前期各项审批手续,取得不动产登记证和施工许可证;

  明铭介绍,据推进“四谷一港”建设的总体要求,东湖高新区将以该项目为龙头,打造“芯片-显示-智能终端”万亿产业集群。为此,东湖高新区已为国家存储器项目规划建设配套产业园区,正在加快引进产业链配套企业;并加快建设武汉国际微电子学院,组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心,努力打造世界级的集成电产业创新中心。